RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3332
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GTZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 4GB 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link