RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3313
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905701-006.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link