RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3609
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology AQD-SD4U4GN24-SG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology 8G4US2400.M8B1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link