RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
104
Wokół strony -215% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3131
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link