RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
104
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3017
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link