RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
104
Wokół strony -447% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3724
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.M16FR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingston 9905743-034.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link