RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
104
Wokół strony -447% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3192
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMR128GX4M8C3000C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVS 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CM4X8GF2400C14K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link