RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
23.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
19.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
104
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
23.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
19.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
4243
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5S38G1601U2S 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRSWK 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston HP32D4S2S1ME-8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH3200D464L16/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link