RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3800
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link