RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
104
Wokół strony -285% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
27
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3429
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FB 8GB
SK Hynix HMT451U6BFR8A-PB 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905700-046.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link