RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
37
104
Wokół strony -181% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
37
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3529
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Nanya Technology NT8GA64D88AX3S-HR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link