RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3241
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link