RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3901
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16N2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston 9905630-030.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
‹
›
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link