RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3192
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link