RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
104
Wokół strony -333% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
4152
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link