RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
75
104
Wokół strony -39% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
75
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1735
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5471-050.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link