RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
22.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
104
Wokół strony -352% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
23
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
22.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
20.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
4421
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905702-027.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link