RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
21.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
104
Wokół strony -215% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
33
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
21.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
18.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, , CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3959
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Samsung M393B5170GB0-CMA 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8GX 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link