RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
36
104
Wokół strony -189% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
36
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3074
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link