RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3164
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBR 16GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link