RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
104
Wokół strony -197% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
35
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2179
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N-TF 32GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
AMD R534G1601U1S 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link