RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
104
Wokół strony -447% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
19
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
17.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3499
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2Z2933C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 2OZ 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link