RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
101
104
Wokół strony -3% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.7
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
101
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
12.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
6.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1382
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link