RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3114
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSW 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link