RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2976
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905734-018.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z4000C18 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7AMR4N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2B2800C14 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3733C17 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link