RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
104
Wokół strony -420% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
20
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3152
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C15/16G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8KTF25664AZ-1G6M1 2GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link