RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
104
Wokół strony -174% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.2
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
38
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
8.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1824
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link