RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
104
Wokół strony -154% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.7
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
41
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2186
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FAR 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X4GF2666Z16K4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link