RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
19.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
19.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3527
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
SK Hynix HMT351U6EFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 99P5474-055.A00LF 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE400UD51208-2400AH 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link