RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3473
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZKW 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3866C18 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190A 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRK 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link