RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
104
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.9
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
51
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
9.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2314
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link