RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
10.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2237
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVS 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M379B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link