RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
104
Wokół strony -395% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
21
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2276
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB Porównanie pamięci RAM
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
INTENSO GKE800UD102408-2133 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CM4B8G1J2400A16K2-ON 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link