RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
104
Wokół strony -316% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
25
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2583
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingston KHX5300S2LL/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9905702-135.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Essencore Limited IM48GU48A30-GIIHM 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link