RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2494
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBR1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16K4 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link