RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
16
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
104
Wokół strony -247% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
23400
6400
Wokół strony 3.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
30
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
23400
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
no data
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2709
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD2 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB86H9F2400 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link