RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
44
104
Wokół strony -136% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
8.5
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
5.6
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
44
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
8.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
5.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1660
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDR1 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLM16G44C19U4B.M8FB1 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKO 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link