RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
95
104
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
95
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1518
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FD2 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZR 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link