RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
95
104
Wokół strony -9% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
95
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1518
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link