RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
18.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
104
Wokół strony -478% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
18
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
20.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
18.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3529
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3866C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link