RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
57
104
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.4
3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
57
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
9.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2170
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-2133 4GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
SK Hynix HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEHLSBG 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link