RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
64
104
Wokół strony -63% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
64
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2103
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30BESB.16FD 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A2400C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link