RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
104
Wokół strony -206% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
10.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2783
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1600C7 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link