RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
104
Wokół strony -373% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
22
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3036
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link