RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
73
104
Wokół strony -42% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
73
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1727
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link