RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
104
Wokół strony -225% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.2
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
32
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
9.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
2386
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8AFSA-8G-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3466C16 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link