RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
83
104
Wokół strony -25% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
2,404.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
83
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
1774
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston KHX16 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Apacer Technology D12.2324WT.001 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link