RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
104
Wokół strony -271% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
28
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3273
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link