RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Porównaj
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
18.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
104
Wokół strony -259% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
104
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,192.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,404.5
14.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
786
3611
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Transcend Information AQD-D4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905624-044.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link