RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
13.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3340
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4B4G1J2400A14K 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Samsung M474A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905665-014.A00G 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link