RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Porównaj
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,072.7
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
75
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
5300
Wokół strony 4.02 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
75
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,730.3
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
2,072.7
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
21300
Other
Opis
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
858
3733
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FE 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link